一、 首先先来看看核心板的原理图

我们发现数据线才有8条，而并没有地址信号，所以该8条线一定是可以传数据，也可以传地址。而地址线肯定又不够，那么，地址肯定又是多次发出的。从datasheet可以看到它要发出5个周期的地址。那怎样分别是命令还是地址？

CLE——Command Locked Enable 当该引脚输入为高电平，则发出的是命令

ALE——Address Locked Enable 当该引脚输入为高电平，则发出的是地址

当两个引脚输入为低电平时，8条总线上传输的是数据。

CEn为片选信号，因为NandFlash与DDR共用数据线，因此需要选中是用DDR还是NandFlash

WE和RE为是读还是写。

RNB表示烧写状态，当该引脚输出为高电平时，表示已经烧写完成，进入ready状态；当为低电平，表忙状态。

如何访问NandFlash？

那就需要参照datasheet的参考时序：

因为6410内部集成NandFlash控制器，因此控制NandFlash就很简单，只需控制Nandflash控制器即可。步骤为：

（1）初始化NandFlash控制器

a. 发出片选信号——nCE

（2）发出命令

对于6410，因为有NandFlash控制器，只需把命令写到NFCMD寄存器，如果没有NandFlash控制器，需要进行以下步骤：

a.先把数据驱动到data0~7数据线上

b. 使CLE输出1

c.使WE从0变为1

（3）发出地址

对于6410，因为有NandFlash控制器，只需把命令写到NFADDR寄存器，如果没有NandFlash控制器，需要进行以下步骤：

a.先把地址驱动到data0~7数据线上

b. 使ALE输出1

c.使WE从0变为1

（4）发数据

对于6410，因为有NandFlash控制器，只需把命令写到NFDATA寄存器，如果没有NandFlash控制器，需要进行以下步骤：

a.先把数据驱动到data0~7数据线上

b. 使CLE输出0

c. 使ALE输出0

d.使WE从0变为1

（5）读数据

对于6410，因为有NandFlash控制器，只需把命令写到NFDATA寄存器，如果没有NandFlash控制器，需要进行以下步骤：

a. 使RE输出0

b. 等待tRAE

c. NandFlash数据驱动到data0~7,6410便可以读数据

下面看看NandFlash的访问周期：

其中，行地址表示访问哪一页，列地址表示访问哪个地址，上图中，3、4、5表示访问哪一页，1、2表示访问这页的哪个地址。

现在知道怎样操作NandFlash了，从硬件上也知道它的结构，后面我们来写NandFlash驱动就更容易了！