6月5日，位于汾湖高新区的英诺赛科（苏州）半导体有限公司举行量产暨研发楼奠基仪式，英诺赛科投资80亿元，用地213亩的一期项目正式开启大规模量产，预计2021年将实现产能6000片/月。项目全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸的硅基氮化镓晶圆，年产值150亿元，利税15亿元以上。

英诺赛科总经理孙在亨指出，半导体硅材料在经过70多年的开发后，已经接近其材料极限，而氮化镓则具备未来产业发展所需的特性。在过去两年中，基于氮化镓的市场应用取得了很多突破，开始在消费电子、工业、汽车等市场全方位地渗透，尤其在快充、激光雷达、手机、5G、新能源汽车、无线充电和数据中心等领域发挥出巨大的潜能。“我毫不怀疑基于氮化镓的应用将是半导体未来十年增长最快的领域。” 孙在亨说道。

爱集微副总经理杨建荣介绍，氮化镓功率器件市场将从2020年的4600万美元增长至2026年的11亿美元，平均年复合增长率达70%。“与传统的硅器件相比，氮化镓分别在材料特性、器件特性、系统特性三方面有独特的优势。在材料特性方面，氮化镓的禁宽带度是硅器件的3~4倍，饱和电子漂移速度是硅器件的2~4倍，击穿场强是硅器件的11倍。在器件优势方面，氮化镓可以耐300℃以上的高温，且耐高压能力极强，在开关速度方面比硅器件快20倍。在系统优势方面，氮化镓易散热、体积小、损耗小，且能够释放的功率更大。” 杨建荣说道。

杨建荣认为，墓氮化镓的应用市场主要有三类，分别是超小型电源适配器的消费类产品；服务器、电源以及光伏等工业类产品；OBC、DC-DC等电动汽车类产品。“功率氮化镓的应用场景处于加速落地的阶段。以快充行业为例，在2019年的香港电子展中，有8款氮化镓充电器新品参展，在2020年2月的小米10发布会中，雷军展示了氮化镓黑科技，并推出65W的快充，截至2021年5月底，国内推出了近20多款30W的氮化镓快充，并开始普及中低端市场。” 杨建荣说道。

然而，目前中国氮化镓功率器件的应用市场还处于起步阶段，市场对于氮化镓的认可度还有待提升，且氮化镓自身的成本较高，目前难以应用普及。在未来，随着硅基氮化镓成本的降低以及可靠性的大幅提高，采用氮化镓材料的电子产业或将成为行业的主流。

据悉，随着成本的下降，GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET 等硅基功率器件。以电压来分，0~300V是Si材料占据优势，600V以上是SiC占据优势，300V~600V之间则是GaN材料的优势领域。根据Yole估计，在0~900V的低压市场，GaN有较大的应用潜力，这一块占据整个功率市场约68%的比重，按照整体市场154亿美元来看，GaN潜在市场超过100亿美元。