LPC2200系列具有开放的外部总线，而LPC2100系列则总线不开放，但是可以通过IO口模拟总线接口。在总线接口上可以挂接多种外部设备，包括：并行SRAM、并行Flash、USB接口、液晶模块、网络接口等设备，这里仅介绍其中部分常用的外部设备。
     并行SRAM
     ——概述
     SRAM为静态RAM存储器，具有极高的读写速度，在嵌入式系统中常用来作变量/数据缓冲，或者将程序复制到SRAM上运行，以提高系统的性能。注意，SRAM属于易失性存储器，电源掉电后SRAM中的数据将会丢失，所以不可能直接使用SRAM引导程序运行。
     DRAM为动态RAM存储器，具有存储容量大和价格便宜的特点。DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件，由于电容会放电，所以需要定时充电以维持存储内容的正确，例如每隔2ms刷新一次数据。
     PSRAM（即Pseudo-SRAM）器件是异步SRAM接口技术和利用存储阵列的高密度DRAM技术相结合的产物。实际上，这些器件实现了对主机系统透明地自刷新技术。通过扩展包括刷新操作和读出操作两部分时间在内的读出周期的规定周期时间，使得透明的刷新成为可能。这种方法同样也可用于写入周期。
     ——SRAM
     SRAM器件种类繁多，这里以IS61LV25616AL为例。该芯片是美国ISSI公司的高速SRAM器件，采用CMOS技术，存储容量为512K字节，16位数据宽度，工作电源3.3V。管脚分布如下图所示。